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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3117 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

CENTRAL/NJSEMI
Herstellerteil #:

2N3117
Datenblatt:

2N3117 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.21.00.95
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3117

2N3117 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 50 mA 360 mW Through Hole TO-18

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.21.00.95	Collector Current-Max (IC)	0.05 A
Collector-Base Capacitance-Max	4.5 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	60 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	400
JEDEC-95 Code	TO-18	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Operating Temperature-Min	-65 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation Ambient-Max	0.36 W	Power Dissipation-Max (Abs)	0.36 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	VCEsat-Max	0.35 V

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