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Siehe Technische Spezifikationen

2N3391A +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3391A
Datenblatt:

2N3391A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

0.1 A
Collector-Base Capacitance-Max:

10 pF
EDA/CAD Modelle:

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2N3391A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Source Content uid	2N3391A	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Base Capacitance-Max	10 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	25 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	250	JEDEC-95 Code	TO-92
JESD-30 Code	O-PBCY-W3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	125 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Element Material	SILICON

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