Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3392 +BOM

Compact TO-92 package ideal for small form factor designs

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3392
Datenblatt:

2N3392 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

25 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3392

2N3392 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	150	DC Current Gain hFE Max	300
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Unit Weight	0.008466 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..