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Siehe Technische Spezifikationen

2N3415 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3415
Datenblatt:

2N3415 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

25 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3415

2N3415 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2N3415	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	180	DC Current Gain hFE Max	540
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Part # Aliases	2N3415_NL
Unit Weight	0.007090 oz

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