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Siehe Technische Spezifikationen

2N3416 +BOM

Robust and versatile NPN transistor ideal for amplification, switching, and mor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3416
Datenblatt:

2N3416 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3416

2N3416 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	75	DC Current Gain hFE Max	225
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	10000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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