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Siehe Technische Spezifikationen

2N3417 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3417
Datenblatt:

2N3417 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

0.5 A
Collector-Base Capacitance-Max:

10 pF
EDA/CAD Modelle:

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2N3417 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	2N3417	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	0.5 A	Collector-Base Capacitance-Max	10 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	180	JEDEC-95 Code	TO-92
JESD-30 Code	O-PBCY-W3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	160 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.36 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2N3417	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	180	DC Current Gain hFE Max	540
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.007090 oz

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