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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3700UB +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 500 mW Surface Mount UB

Hersteller:

MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

2N3700UB
Datenblatt:

2N3700UB Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY
Collector Current-Max (IC):

1 A

2N3700UB Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 500 mW Surface Mount UB

Hauptmerkmale

Radiation graphs available
Product Summary:

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Collector Current-Max (IC)	1 A
Collector-Emitter Voltage-Max	80 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	15	JESD-30 Code	R-CDSO-N3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	175 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.5 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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