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Siehe Technische Spezifikationen

2N3725 PBFREE +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1.2 A 300MHz 800 mW Through Hole TO-39

Hersteller:

Central Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

2N3725 PBFREE
Datenblatt:

2N3725 PBFREE Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

950mV @ 100mA, 1A

2N3725 PBFREE Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1.2 A 300MHz 800 mW Through Hole TO-39

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	950mV @ 100mA, 1A	Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 100mA, 1V	Power - Max	800 mW
Frequency - Transition	300MHz	Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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