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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3771G +BOM

2N3771G Transistor by ON Semiconductor

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N3771G
Datenblatt:

2N3771G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

1-07
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3771G

2N3771G Allgemeine Beschreibung

The 20 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for linear amplifiers, series pass regulators and inductive switching applications.

Hauptmerkmale

Epoxy-Free Molding Compound
Rugged Construction for Harsh Environments
Robust Electrical Performance
SMT Package with Thermal Resistance RθJC = 100°C/W
High Temperature Range up to 150°C
Excellent Radiation Hardness

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Case Outline	1-07	MSL Type	NA
MSL Temp (°C)	0	Container Type	FTRAY
Container Qty.	100	ON Target	N
Polarity	NPN	Type	General Purpose
VCE(sat) Max (V)	2	IC Cont. (A)	30
VCEO Min (V)	40	VCBO (V)	50
VEBO (V)	5	VBE(on) (V)	2.7
hFE Min	15	hFE Max	60
fT Min (MHz)	0.2	PTM Max (W)	150
Pricing ($/Unit)	Price N/A

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