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2N3772G +BOM

The 20 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for linear amplifiers, series pass regulators and inductive switching applications.

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3772G
Datenblatt:

2N3772G Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3772G

2N3772G Allgemeine Beschreibung

The 20 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for linear amplifiers, series pass regulators and inductive switching applications.

Hauptmerkmale

High-Speed Switching Capability
Silicon Germanium Epitaxial Construction
Low Forward Bias Voltage
Roadmap for Advanced Packaging
Microprocessor Compatible Interface
Reliability and Durability Assured

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.4 V
Maximum DC Collector Current	20 A	Pd - Power Dissipation	150 W
Gain Bandwidth Product fT	200 kHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Series	2N3772
Continuous Collector Current	20 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	15
Height	8.51 mm	Length	39.37 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	100
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	26.67 mm	Unit Weight	0.408014 oz

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