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Siehe Technische Spezifikationen

2N3859A +BOM

The 2N3859A is a NPN transistor designed for general-purpose applications, capable of handling voltages up to 60V and currents up to 0

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3859A
Datenblatt:

2N3859A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Current - Collector Cutoff (Max):

500nA (ICBO)
EDA/CAD Modelle:

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2N3859A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 1V	Power - Max	625 mW
Frequency - Transition	250MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N3859

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