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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3904RLRAG +BOM

NPN Bipolar Transistor, TO-92

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3904RLRAG
Datenblatt:

2N3904RLRAG Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3904RLRAG

2N3904RLRAG Allgemeine Beschreibung

The 2N3904RLRAG NPN Bipolar Transistor is a versatile component designed for use in both linear and switching applications. Its TO-92 package is specifically engineered for medium power applications, making it suitable for a wide range of electronic devices and systems. With its NPN configuration, this transistor is an essential building block for amplifiers, signal processing circuits, and power supplies. Its small size and high performance make it a popular choice for compact and efficient designs

Hauptmerkmale

RoHS Compliant Package Options Available*
Lead-Free Solutions for a Greener Tomorrow
New Generation of Semiconductors: Efficient, Reliable, and Affordable
Silicon-Based Components for High-Speed Applications
Precise Temperature Control for Optimal Performance
Reliable Power Management for Critical Systems

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm

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