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Siehe Technische Spezifikationen

2N3904TAR +BOM

200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3904TAR
Datenblatt:

2N3904TAR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3904TAR

2N3904TAR Allgemeine Beschreibung

The dynamic range of the 2N3904TAR extends up to 100 mA when used as a switch, allowing for seamless transitions between on and off states. Additionally, the transistor can operate up to 100 MHz as an amplifier, making it suitable for a variety of audio and radio frequency applications

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N3904
Continuous Collector Current	200 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Part # Aliases	2N3904TAR_NL
Unit Weight	0.008466 oz

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