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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3905 +BOM

Bipolar Transistors - BJT TO-92

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3905
Datenblatt:

2N3905 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3905

2N3905 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	200 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	30 at 100 uA, 1 V, 40 at 1 mA, 1 V, 50 at 10 mA, 1 V, 30 at 50 mA, 1 V, 15 at 100 mA, 1 V	DC Current Gain hFE Max	150
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm
Unit Weight	0.007090 oz

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