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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3906G +BOM

Small signal PNP silicon transistor with TO-92 package, featuring a current rating of 200 mA and voltage rating of 40 V

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3906G
Datenblatt:

2N3906G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 5mA, 50mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3906G

2N3906G Allgemeine Beschreibung

Additionally, the No. of Pins is 3, and it does not contain any SVHC substances. The Collector Emitter Voltage Vces is 250mV, and the Current Ic Continuous a Max is 50mA. The Gain Bandwidth ft Typ is 250MHz, with a minimum hFe of 30. The package is TO-92, providing easy installation with Through Hole termination

Hauptmerkmale

Improved Power Handling and High Current Capabilities*
SMT Package for Enhanced Thermal Performance
Low Noise, Low Distortion Amplification Functionality
Ruggedized Construction with Superior Reliability
Faster Switching Times for Enhanced System Performance
Economical Solution for High-Power Audio Applications

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V	Power - Max	625 mW
Frequency - Transition	250MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N3906

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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