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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3906TFR +BOM

Bipolar Junction Transistor PNP 40V 0.2A 625mW in TO-92 Package

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3906TFR
Datenblatt:

2N3906TFR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3906TFR

2N3906TFR Allgemeine Beschreibung

The 2N3906TFR is a versatile PNP transistor that can handle up to 200 mA and 40 V, making it suitable for a wide range of applications. Whether you need a transistor for linear circuits or switching applications, this device is designed to meet your needs. Its TO-92 package allows for easy installation in medium power setups, giving you the versatility you need for your projects

Hauptmerkmale

Silicon Germanium Process
Die Attach Material Used
Fully RoHS Compliant Product
No Mercury Added in Manufacturing
Automotive and Industrial Grade Device
Suitable for High Temperature Applications

Anwendung

Perfect for electronic hobbyists
Compact and easy to use
Provides consistent performance

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N3906
Continuous Collector Current	- 200 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Part # Aliases	2N3906TFR_NL
Unit Weight	0.008466 oz

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