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Siehe Technische Spezifikationen

2N3964 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 200 mA 50MHz 360 mW Through Hole TO-18

Hersteller:

TT Electronics / Semelab
Herstellerteil #:

2N3964
Datenblatt:

2N3964 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW NOISE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3964

2N3964 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 200 mA 50MHz 360 mW Through Hole TO-18

Spezifikationen

Source Content uid	2N3964	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	LOW NOISE	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	0.2 A	Collector-Emitter Voltage-Max	45 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	250
JEDEC-95 Code	TO-18	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	0.36 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	50 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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