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Siehe Technische Spezifikationen

2N4029 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 500 mW Through Hole TO-18

Hersteller:

MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

2N4029
Datenblatt:

2N4029 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

1 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4029

2N4029 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 500 mW Through Hole TO-18

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	80 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	25
JEDEC-95 Code	TO-206AA	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	210 ns	Turn-on Time-Max (ton)	40 ns

Servicerichtlinien und andere

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