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Siehe Technische Spezifikationen

2N4124_S00Z +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N4124_S00Z
Datenblatt:

2N4124_S00Z Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 5mA, 50mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4124_S00Z

2N4124_S00Z Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA	Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 1V	Power - Max	625 mW
Frequency - Transition	300MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N4124

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