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Siehe Technische Spezifikationen

2N4401TAR +BOM

NPN Bipolar Junction Transistor, TO-92

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N4401TAR
Datenblatt:

2N4401TAR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4401TAR

2N4401TAR Allgemeine Beschreibung

The 2N4401TAR NPN Bipolar Junction Transistor is a reliable option for both linear and switching applications. Its TO-92 package makes it suitable for medium power usage, offering versatility and flexibility in various electronic designs. Whether you're working on a project that requires precise linear amplification or quick switching capabilities, this transistor is up for the task

Hauptmerkmale

Pb-Free Packages
High Gain

Anwendung

Power supplies

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	750 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N4401
Continuous Collector Current	600 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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