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Siehe Technische Spezifikationen

2N4401TFR +BOM

NPN Bipolar Junction Transistor, TO-92

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N4401TFR
Datenblatt:

2N4401TFR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4401TFR

2N4401TFR Allgemeine Beschreibung

The 2N4401TFR is a high-performance NPN Bipolar Junction Transistor suitable for a variety of linear and switching applications. Encased in the TO-92 package, this transistor is specifically designed for medium power usage. Whether you need to amplify or switch electronic signals, the 2N4401TFR offers reliable and efficient performance

Hauptmerkmale

Rapid Response Time
SMT Package
Low Jitter

Anwendung

RF power amplifiers
Induction cooktops
Electronic door locks

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	750 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N4401
Continuous Collector Current	600 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Part # Aliases	2N4401TFR_NL
Unit Weight	0.008466 oz

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