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Siehe Technische Spezifikationen

2N4918 +BOM

Designed for efficiency, the Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is a versatile component for amplifiers and other applications

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N4918
Datenblatt:

2N4918 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
Collector- Base Voltage VCBO:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4918

2N4918 Allgemeine Beschreibung

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

Hauptmerkmale

Low Noise and Distortion
Silicon Epitaxial Process for High Reliability
Compact Package Dimensions
Fast Switching Time - 500 ns

Anwendung

Microwave signal processing
Amplification in video

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector- Base Voltage VCBO	40 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	30 W
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	40 at 50 mA, 1 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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