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2N4919 +BOM

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

2N4919 Allgemeine Beschreibung

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

Hauptmerkmale

  • Nine-channel analog-to-digital converter
  • Capable of handling high-speed data conversion
  • Low power consumption and compact design

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 600 mV
Maximum DC Collector Current 3 A Pd - Power Dissipation 30 W
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Continuous Collector Current 3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 40 Height 11.04 mm
Length 7.74 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 500 Subcategory Transistors
Technology Si Width 2.66 mm
Unit Weight 0.068784 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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