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Siehe Technische Spezifikationen

2N6027RL1G +BOM

TO-92 (TO-226) Programmable Unijunction Transistor with 5.33mm Body Height available in 2000-REEL packaging

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N6027RL1G
Datenblatt:

2N6027RL1G Datenblatt (PDF)
Voltage:

40V
Power Dissipation (Max):

300 mW
Voltage - Output:

11V
Voltage - Offset (Vt):

1.6 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6027RL1G

2N6027RL1G Allgemeine Beschreibung

Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Hauptmerkmale

Programmable − RBB, η, IV and IP
Low On−State Voltage − 1.5 V Maximum @ IF = 50 mA
Low Gate to Anode Leakage Current − 10 nA Maximum
High Peak Output Voltage − 11 V Typical
Low Offset Voltage − 0.35 V Typical (RG = 10 kΩ)
Pb−Free Packages are Available

Spezifikationen

Voltage	40V	Power Dissipation (Max)	300 mW
Voltage - Output	11V	Voltage - Offset (Vt)	1.6 V
Current - Gate to Anode Leakage (Igao)	10 nA	Current - Valley (Iv)	50 µA
Current - Peak	2 µA	Base Product Number	2N6027

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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