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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6027RLRAG +BOM

2N6027RLRAG Thyristor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N6027RLRAG
Datenblatt:

2N6027RLRAG Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6027RLRAG

2N6027RLRAG Allgemeine Beschreibung

Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Hauptmerkmale

Programmable − RBB, η, IV and IP
Low On−State Voltage − 1.5 V Maximum @ IF = 50 mA
Low Gate to Anode Leakage Current − 10 nA Maximum
High Peak Output Voltage − 11 V Typical
Low Offset Voltage − 0.35 V Typical (RG = 10 kΩ)
Pb−Free Packages are Available

Spezifikationen

Source Content uid	2N6027RLRAG	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.30.00.80	Anode to Cathode Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE	JEDEC-95 Code	TO-92
JESD-30 Code	O-PBCY-T3	JESD-609 Code	e1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
On-state Current-Max	150 A	Operating Temperature-Max	125 °C
Operating Temperature-Min	-50 °C	Peak Current-Max	2 µA
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Dissipation-Max	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40
Trigger Device Type	PROGRAMMABLE UJT	Valley Current-Min	70 µA
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Minimum Operating Temperature	- 50 C	Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Series	2N6027	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.036015 oz

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