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Siehe Technische Spezifikationen

2N6038 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N6038
Datenblatt:

2N6038 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6038

2N6038 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126

Hauptmerkmale

Silicon power device
High-voltage switching
Fast response time
Resistive and inductive load compatibility
Low gate current
Pulse-width modulation suitable

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Maximum DC Collector Current	4 A	Maximum Collector Cut-off Current	500 uA
Pd - Power Dissipation	40 W	Mounting Style	Through Hole
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	4 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	100, 500, 750
Height	11.04 mm	Length	7.74 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	Transistors	Width	2.66 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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