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2N6468 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor 120 V 4 A 5MHz 40 W Through Hole TO-66

2N6468 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor 120 V 4 A 5MHz 40 W Through Hole TO-66

Spezifikationen

Pbfree Code No Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count 2 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 4 A Collector-Emitter Voltage-Max 120 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 5
JEDEC-95 Code TO-66 JESD-30 Code O-MBFM-P2
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Temperature-Max 200 °C
Operating Temperature-Min -65 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 23 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb) Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 5 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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