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Siehe Technische Spezifikationen

2N6474 +BOM

2N6474 Power Bipolar Transistor

Hersteller:

Central Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

2N6474
Datenblatt:

2N6474 Datenblatt (PDF)
Packaging:

Tube
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

120 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6474

2N6474 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 4 A 4MHz 40 W Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

NPN medium-power linear regulator
Collector-to-base voltage of 80V
Low saturation current for high-efficiency power supply

Anwendung

Communication equipment
Electronic control devices
Lighting control systems

Spezifikationen

Packaging	Tube	Part Status	Obsolete
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 2A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 1.5A, 4V
Power - Max	40 W	Frequency - Transition	4MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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