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Siehe Technische Spezifikationen

2N6667G +BOM

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N6667G
Datenblatt:

2N6667G Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6667G

2N6667G Allgemeine Beschreibung

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

Hauptmerkmale

High DC Current Gain h_FE = 3500 (Typ) @ I_C = 4 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 200 mAdc V_CEO(sus) = 60 Vdc (Min) 2N6667 V_CEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
Low Collector-Emitter Saturation Voltage V_CE(sat) = 2 Vdc (Max) @ I_C = 5 A
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
TO-220AB Compact Package
Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Maximum DC Collector Current	10 A	Maximum Collector Cut-off Current	1 mA
Pd - Power Dissipation	65 W	Mounting Style	Through Hole
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2N6667	Continuous Collector Current	10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	1000	DC Current Gain hFE Max	20000
Height	15.75 mm	Length	10.53 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	Transistors	Width	4.83 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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