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Siehe Technische Spezifikationen

2N6790 +BOM

N-Channel 200 V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

Hersteller:

Microsemi Corporation
Herstellerteil #:

2N6790
Datenblatt:

2N6790 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.5A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6790

2N6790 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

Hauptmerkmale

3.5A, 200V
rDS(ON) = 0.800Ω
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
Linear Transfer Characteristics
High Input Impedance
Majority Carrier Device
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	800mW (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Product Category	MOSFET	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	800 mW	Configuration	Single
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	100
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Unit Weight	0.229281 oz

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