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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin TO-39
TO-205AFHersteller:
Microsemi Corporation
Herstellerteil #:
2N6802
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
EDA/CAD Modelle:
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N CH MOSFET, 500V, 2.5A, TO-205AF; Trans; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:0.35mJ; Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:11A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.097kg
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.46 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1000+ $0,587
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