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2N6802 +BOM

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin TO-39

2N6802 Allgemeine Beschreibung

N CH MOSFET, 500V, 2.5A, TO-205AF; Trans; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:0.35mJ; Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:11A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.097kg

Hauptmerkmale

  • JEDEC registered 2N6796, 2N6798, 2N6800 and 2N6802 number series.
  • JAN, JANTX, and JANTXV qualifications are available per MIL-PRF-19500/557.
  • JANS qualification is available on 2N6798 only.
  • (See part nomenclature for all available options.)
  • RoHS compliant versions available (commercial grade only).

Spezifikationen

FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.46 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Feature - Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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