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Siehe Technische Spezifikationen

2N7000BU +BOM

N-channel metal-oxide semiconductor field-effect transisto

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7000BU
Datenblatt:

2N7000BU Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7000BU

2N7000BU Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Hauptmerkmale

Fast switching times
Improved inductive ruggedness
Lower input capacitance
Extended safe operating area
Improved high-temperature reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	200 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Qg - Gate Charge	-	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	400 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	2N7000
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	0.1 S	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product	MOSFET Small Signal
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	4.19 mm	Part # Aliases	2N7000BU_NL
Unit Weight	0.016000 oz

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