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Siehe Technische Spezifikationen

2N7000RLRAG +BOM

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7000RLRAG
Datenblatt:

2N7000RLRAG Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

200mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7000RLRAG

2N7000RLRAG Allgemeine Beschreibung

With the 2N7000RLRAG N-channel Small Signal MOSFETs, ON Semiconductor has raised the bar for compact yet powerful components. Utilizing their proprietary DMOS technology, these MOSFETs deliver exceptional on-state resistance reduction, ensuring optimal performance in a wide range of applications. Capable of handling up to 400 mA DC and bursts of 2 A, these MOSFETs are ideal for tasks that demand efficiency and reliability at low power levels. Whether you're designing for low-voltage systems or need precise control in low-current scenarios, these MOSFETs offer the performance and durability you need

Hauptmerkmale

High Isolation and Common Mode Rejection
Rise Time Independent of Input Signal
Low Power Consumption and High Speed

Anwendung

Small but powerful
Efficient voltage regulation
Perfect for portable electronics

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	350mW (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	2N7000

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