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2N7000TA +BOM

N-Channel Power MOSFET

2N7000TA Allgemeine Beschreibung

This N-channel MOSFET transistor, known as the 2N7000TA, is designed to handle a continuous drain current of 200mA and a drain-source voltage of 60V. With an on-resistance of 5ohm at a test voltage of 10V, it also features a threshold voltage of 3.9V. Housed in a TO-226AA case style with 3 pins, this transistor has a power dissipation rating of 400mW and can operate at a maximum temperature of 150°C. Classified as not containing any SVHC, this product does not meet any automotive qualification standard or have an assigned MSL level

Hauptmerkmale

  • Fast switching
  • Lower input capacitance
  • Extended safe operating area
  • Improved inductive ruggedness
  • Improved high temperature reliability

Anwendung

  • Power Management
  • Motor Drive & Control
  • Industrial

Spezifikationen

FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number 2N7000

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