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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002-E3 +BOM

Equivalent MOSFET for 781-2N7002E-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

2N7002-E3
Datenblatt:

2N7002-E3 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

115mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002-E3

2N7002-E3 Allgemeine Beschreibung

The 2N7002-E3 is a versatile N-channel MOSFET transistor that packs a powerful punch in a small package. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 300mA, this transistor is ideal for a wide range of applications where space is limited. Its SOT-23 surface mount package ensures easy integration into compact designs without compromising on performance

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

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