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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002-T1-E3 +BOM

SOT-23-packaged N-channel MOSFET capable of handling up to 60 volts and conducting currents of up to 0.115 amperes

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

2N7002-T1-E3
Datenblatt:

2N7002-T1-E3 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

115mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002-T1-E3

2N7002-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236

Hauptmerkmale

Low On-Resistance: 2.5 Ω
Low Threshold: 2.1 V
Low Input Capacitance: 22 pF
Fast Switching Speed: 7 ns
Low Input and Output Leakage
BENEFITS
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

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