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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002BKW,115 +BOM

2N7002BKW 60V N-channel Trench MOSFET

Hersteller:

Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #:

2N7002BKW,115
Datenblatt:

2N7002BKW,115 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002BKW,115

2N7002BKW,115 Allgemeine Beschreibung

The 2N7002BKW,115 is a highly efficient N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for a variety of electronic applications. With its compact SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, this transistor offers a sleek and space-saving solution for circuit designs. Utilizing advanced Trench MOSFET technology, this transistor delivers superior performance and reliability in a small form factor

Hauptmerkmale

Low electromagnetic interference
High-efficiency operation
Dual-graded gate oxide process
Qualification to AEC-Q101 standard

Anwendung

MOSFET driver
Power switch
LED driver

Spezifikationen

Series	TrenchMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	310mA (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	275mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

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