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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002DWA-7 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

2N7002DWA-7
Datenblatt:

2N7002DWA-7 Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

60V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002DWA-7

2N7002DWA-7 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363

Hauptmerkmale

Dual N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Small Surface Mount Package
HBM Class 1C
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180mA	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V	Power - Max	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

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