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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002ET7G +BOM

N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7002ET7G
Datenblatt:

2N7002ET7G Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002ET7G

2N7002ET7G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Accurate Voltage Regulation
Efficient Energy Harvesting
Advanced Fault Detection
Robust Quality Control Process

Anwendung

High Efficiency
Low Power Consumption
Modern Devices

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	310 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	810 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	420 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	2N7002E
Configuration	Single	Fall Time	3.6 ns
Forward Transconductance - Min	530 mS	Product Type	MOSFET
Rise Time	1.2 ns	Factory Pack Quantity	3500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	4.8 ns	Typical Turn-On Delay Time	1.7 ns
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

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