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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002LT3G +BOM

SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7002LT3G
Datenblatt:

2N7002LT3G Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

115mA (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002LT3G

2N7002LT3G Allgemeine Beschreibung

SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm

Hauptmerkmale

Low Forward Voltage Drop
High Surge Current Capability
Small Footprint Discrete Device
Epoxy Free Encapsulation
Pulse Width Modulation Compatible
High Temperature Operation

Anwendung

Power Management System
High Efficiency Circuit
Mobile Device Charger

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	225mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

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