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2N7002PW,115 +BOM

MOSFET 2N7002PW/SOT323/SC-70

2N7002PW,115 Allgemeine Beschreibung

The 2N7002PW,115 is a cutting-edge N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for high-performance applications. Housed in a sleek SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, this transistor offers compact and efficient operation. Utilizing advanced Trench MOSFET technology, this transistor delivers superior performance and reliability in a small form factor

Hauptmerkmale

  • Logic-level compatible
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • AEC-Q101 qualified

Spezifikationen

Source Content uid 2N7002PW,115 Part Life Cycle Code Not Recommended
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Application SWITCHING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 310mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V Power Dissipation (Max) 260mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q100 Mounting Type Surface Mount
Base Product Number 2N7002

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