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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002Q-7-F +BOM

Ideal for various electronic applications requiring efficient switching and power management within compact designs

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

2N7002Q-7-F
Datenblatt:

2N7002Q-7-F Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F Allgemeine Beschreibung

The 2N7002Q-7-F is an N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR, designed for small signal applications. It has a maximum drain current (I(D)) of 0.17A and can handle up to 60V. This transistor is a single-element, N-Channel MOSFET, made of silicon. It is designed for use in a variety of electronic circuits where a small, efficient, and reliable transistor is required

Hauptmerkmale

HIGH RELIABILITY

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	210 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	223 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	540 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Series	2N7002	Configuration	Single
Fall Time	5.6 ns	Forward Transconductance - Min	80 mS
Product Type	MOSFET	Rise Time	3 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	7.6 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.8 ns
Unit Weight	0.000282 oz

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