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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002TA +BOM

Diodes Inc 2N7002TA MOSFET N-Channel 60V 0.115A SOT23

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

2N7002TA
Datenblatt:

2N7002TA Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002TA

2N7002TA Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 115mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 330mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max: 115mA; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Pin Configuration: 1(G), 2(S),3(D); Pulse Current Idm: 800mA; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 60V; Voltage Vgs Max: 2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 2.5V; Voltage Vgs th Min: 1V

Hauptmerkmale

60 Volt VCEO

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	115 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	330 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	2N7002T
Configuration	Single	Height	1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signal
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.3 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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