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Siehe Technische Spezifikationen

2N7052 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 1.5 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7052
Datenblatt:

2N7052 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

12 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7052

2N7052 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 1.5 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	12 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Maximum Collector Cut-off Current	100 nA
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N7052
DC Collector/Base Gain hfe Min	1000	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.007090 oz

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