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Siehe Technische Spezifikationen

BS170 +BOM

The N-channel BS170 MOSFET comes in a TO-92-3 package and is compliant with ROHS regulations, ensuring environmental friendliness

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BS170
Datenblatt:

BS170 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BS170

BS170 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, Small Signal, 500 mA, 60 V

Hauptmerkmale

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Anwendung

Versatile and reliable
Suitable for any task
Essential for your needs

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	500 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	830 mW	Channel Mode	Enhancement
Series	BS170	Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	0.32 S	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	10000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Width	4.19 mm
Part # Aliases	BS170_NL	Unit Weight	0.016000 oz

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