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Siehe Technische Spezifikationen

BSC018N04LS G +BOM

BSC018N04LS G is a N-channel MOSFET boasting a 40V voltage rating and capable of handling currents up to 100A

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC018N04LS G
Datenblatt:

BSC018N04LS G Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC018N04LS G

BSC018N04LS G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Hauptmerkmale

Optimized for Synchronous Rectification
35% lower RDS(on) than alternative devices
45% improvement of FOM over similar devices
Integrated Schottky-like diode
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
Benefits
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
Very low voltage overshoot

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 50A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 20 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC018

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