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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC025N03MSG +BOM

Compact design for space-constrained systems

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC025N03MSG
Datenblatt:

BSC025N03MSG Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC025N03MSG

BSC025N03MSG Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 23A (Ta). 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta). 100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 30A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC025

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