Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC0702LSATMA1 +BOM

Power transistor with MOSFET technology

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC0702LSATMA1
Datenblatt:

BSC0702LSATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC0702LSATMA1

BSC0702LSATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 30 V	FET Feature	Standard
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BSC0702

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..