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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC0909NS +BOM

Trans MOSFET N-CH 34V with 12A in 8-Pin TDSON EP package on tape and reel

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSC0909NS
Datenblatt:

BSC0909NS Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

176.0 A
Ptot Max:

27.0 W
VDS Max:

30.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC0909NS

BSC0909NS Allgemeine Beschreibung

N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Hauptmerkmale

Low VCE(sat)
Fast recovery diode
Suitable for high frequency applications
Compact package design
Limited inrush current

Anwendung

High performance
Modern technology
Affordable price

Spezifikationen

IDpuls max	176.0 A	Ptot max	27.0 W
VDS max	30.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	11.8 mΩ	ID max	44.0 A
VGS(th) max	2.0 V	VGS(th) min	1.0 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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