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Siehe Technische Spezifikationen

BSC094N06LS5ATMA1 +BOM

8-pin TDSON EP MOSFET transistor suitable for switching applications

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC094N06LS5ATMA1
Datenblatt:

BSC094N06LS5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC094N06LS5ATMA1

BSC094N06LS5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC094N06LS5ATMA1 is a powerful MOSFET transistor designed for high-performance applications. With a maximum drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 47A, this N-channel transistor is capable of handling high power loads with ease. Its surface mount design makes it easy to integrate into a variety of electronic systems, while its low on-state resistance ensures efficient power management. With a maximum threshold voltage of 1.7V, this transistor offers precise control over its operation. Additionally, the BSC094N06LS5ATMA1 is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in various electronic devices

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 24A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 30 V	Power Dissipation (Max)	36W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC094

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